Entre los rumores que continúan arrojando luz sobre el pretendido iPhone 6S, que Apple ya estaría en fase de prototipo, uno recienta afirma que podría incorporar una extendida memoria RAM para darle una mayor holgura a la hora de ejecutar diferentes tareas de manera simultánea.
Este informe ha llegado desde fuentes confiables de Taiwán y está en concordancia con un esperado aumento en la potencia de la próxima entrega de la compañía de Cupertino, que aún se mantiene en un perfil moderado en cuanto al uso de hardware de gran capacidad, ya que hasta ahora sus iPhone han tenido un desempeño óptimo con sólo 1 GB de RAM.
Sin embargo esto podría cambiar en este año y el iPhone 6S, como se pretende que sea denominado el smartphone de Apple versión 2015, poraría una RAM LPDDR4 de 2 GB, igualándose en potencia a varios flagship de las compañías más competitivas y con un claro avance en su velocidad de respuesta.
La RAM del nuevo iPhone añadiría notables cambios al equipo, como es un ancho de banda de hasta 34 GB/s, es decir, un aumento al doble en relación con el actual iPhone 6, así como un ahorro en el consumo de energía.
Se ha dicho, también, que ya se tienen contempldas a las empresas que se encargarán de producir este hardware para Apple, entre las que se encuentran Hynix, Samsung y Micron-Elpida, cada una tendrá a su cargo al producción del 50, 30 y 20 %, respectivamente, de las piezas necesarias.
La noticia no parece nada descabellada, más si tomamos en cuenta que Apple ya dio este paso con su iPad Air 2 que integra 2 GB de RAM, así que en el último tercio del año, que es cuando se espera la presentación de la generación siguiente del iPhone, la verías ya materializada.